Integral - DDR3 - module - 4 Go - SO DIMM 204 broches - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - mémoire sans tampon - non ECC - Integral Memory

DDR3
1600 MHz
Norme PC3-12800
Format SO DIMM 204 broches

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Fréquence 1600 MHz

3200 MHz

2400 MHz

3200 MHz

2400 MHz

1600 MHz

3200 MHz

1600 MHz

1333 MHz

2133 MHz

Fréquence 1600 MHz

Type Non précisé

ddr4

SDRAM

ddr4

ddr3

ddr4

ddr3

ddr4

ddr2

SDRAM

Type Non précisé

Capacité 4 Go

8 Go

16 Go

8 Go

16 Go

8 Go

16 Go

8 Go

2 Go

16 Go

8 Go

2 Go

Capacité 4 Go

Marque Integral Memory

Kingston Technology

Corsair

Micron Technology

Samsung

Hynix

Lenovo

Samsung

Hynix

G.Skill

Samsung

HyperX

CoreParts

Samsung

Micron Technology

Phs-Memory

Marque Integral Memory

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Serveur

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Présentation Integral - DDR3
- 4 Go en DDR3 SDRAM

4 Go en DDR3 SDRAM - Integral Memory

Fabricant : Integral Memory

Produit soumis à la Rémunération Pour Copie Privée. En savoir plus

Descriptif technique Integral - DDR3 - 4 Go en DDR3 SDRAM

Général

Type de mise à niveau	Générique

Mémoire

Type	DRAM module mémoire
Technologie	DDR3 SDRAM
Format	SO DIMM 204 broches
Vitesse	1600 MHz (PC3-12800)
Temps de latence	CL11
Vérification de l'Intégrité des Données	Non ECC
Fonctions	Un rang, basse tension, mémoire sans tampon
Configuration de module	512 x 64
Organisation des puces	512 x 8
Tension	1.35 V

Garantie du fabricant

Service et maintenance	Garantie limitée à vie

Détails de conformité du produit

Consulter les détails de conformité de ce produit (

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Integral - DDR3 - module - 4 Go - SO DIMM 204 broches - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - mémoire sans tampon - non ECC - Integral Memory

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Descriptif technique Integral - DDR3 - 4 Go en DDR3 SDRAM

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