Samsung - DDR4 - module - 4 Go - DIMM 288 broches - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - mémoire sans tampon - non ECC - Samsung
- DDR4
- 2666 MHz
- Norme PC4-21300
- Format DIMM 288 broches Voir le descriptif
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Module Mémoire RAM - Samsung - M378A5244CB0-CTD - 4GB - DDR4 - 2666 Mhz - PC4-21333V - CL19 - 1.2v - 1RX16 - Simple Face 288-Pin - DIMM - Garantie 1 an
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Fréquence
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Fréquence
2666 MHz
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Type
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Non précisé
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Type
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Capacité
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8 Go
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Capacité
4 Go
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Marque
Samsung
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Micron Technology
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Hynix
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Samsung
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Kingston Technology
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Marque
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Compatibilité
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Présentation Samsung - DDR4
- 4 Go en DDR4Produit soumis à la Rémunération Pour Copie Privée. En savoir plus
Descriptif technique Samsung - DDR4 - 4 Go en DDR4
Général
| Capacité | 4 Go |
|---|---|
| Type de mise à niveau | Générique |
| Largeur | 133 mm |
| Profondeur | 2.6 mm |
| Hauteur | 31.3 mm |
Mémoire
| Type | DRAM module mémoire |
|---|---|
| Technologie | DDR4 SDRAM |
| Format | DIMM 288 broches |
| Hauteur du module (en pouces) | 1.23 |
| Vitesse | 2666 MHz (PC4-21300) |
| Temps de latence | CL19 (19-19-19) |
| Vérification de l'Intégrité des Données | Non ECC |
| Fonctions | Un rang, terminaison intégrée (ODT), seize banques, mémoire sans tampon |
| Configuration de module | 512 x 64 |
| Organisation des puces | 512 x 16 |
| Tension | 1.2 V |
Divers
| Normes de conformité | RoHS, Sans plomb, Sans halogène, JEDEC |
|---|
Détails de conformité du produit
Personne responsable dans l'UE
