Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 - SSD - chiffré - 2 To - interne - M.2 2280 - PCI Express 5.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0 - noir - Samsung
- Disque SSD interne
- Capacité: 2 To
- Connectivité: PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
- Format: M.2 Voir le descriptif
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Samsung 9100 PRO MZ-VAP2T0 - SSD - chiffré - 2 To - interne - M.2 2280 - PCI Express 5.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0 - noir
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Présentation Samsung 9100 PRO MZ - VAP2T0 - SSD
- Disque SSD interne 2 To SamsungFabricant : SamsungProduit soumis à la Rémunération Pour Copie Privée. En savoir plus. Voir le montant de la Rémunération Pour Copie Privée Samsung MZ-VAP2T0. Capacità SSD: 2 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 14700 MB/s, Velocità di scrittura: 13400 MB/s, Componente per: PC/PC...
Produit soumis à la Rémunération Pour Copie Privée. En savoir plus.
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Samsung MZ-VAP2T0. Capacità SSD: 2 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 14700 MB/s, Velocità di scrittura: 13400 MB/s, Componente per: PC/PC portatileCaratteristicheAlgoritmi di sicurezza supportati256-bit AESCapacità SSD2 TBDimensione SSDM.2InterfacciaPCI Express 5.0NVMeSìTipo memoriaV-NAND TLCComponente perPC/PC portatilecriptaggio hardwareSìVelocità di lettura14700 MB/sVelocità di scrittura13400 MB/sLettura casuale (4KB)1850000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)Scrittura casuale (4KB)2600000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)Supporto S.M.A.R.T.SìSupporto TRIMSìTempo medio tra guasti (MTBF)1500000 hGestione energeticaTensione di esercizio3,3 VConsumo energetico medio (lettura)8,1 WConsumo energetico medio (scrittura)7,9 WDimensioni e pesoLarghezza80,2 mmProfondità2,38 mmAltezza22,1 mmPeso9 gDati su imballaggioTipo di imballoScatolaCondizioni ambientaliIntervallo temperatura di funzionamento0 - 70 °CShock di funzionamento1500 G
Descriptif technique Samsung 9100 PRO MZ - VAP2T0 - SSD - Disque SSD interne 2 To Samsung
Général
| Capacité | 2 To |
|---|---|
| Cryptage matériel | Oui |
| Algorithme de chiffrement | AES 256 bits |
| Type de mémoire flash NAND | 3 bits par cellule (TLC) |
| Format | M.2 2280 |
| Interface | PCI Express 5.0 x4 (NVMe) |
| Caractéristiques | Prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Support de mise en veille de l'appareil, Samsung V-NAND TLC Technology, dissipateur de chaleur intégré, Intelligent TurboWrite 2.0 Technology, compatible PlayStation, NVMe 2.0, S.M.A.R.T. |
| Largeur | 22.15 mm |
| Profondeur | 80.15 mm |
| Hauteur | 2.38 mm |
| Poids | 9 g |
Performances
| Endurance SSD | 1200 TB |
|---|---|
| Débit de transfert interne | 14700 Mo/s (lecture) / 13400 Mo/s (écriture) |
| Écriture aléatoire 4 Ko maximum | 2600000 IOPS |
| Lecture aléatoire maximale 4 ko | 1850000 IOPS |
Fiabilité
| Fiabilité MTBF | 1.500.000 heures |
|---|
Expansion et connectivité
| Baie compatible | M.2 2280 |
|---|
Alimentation
| Consommation électrique | 8.1 Watt (lecture) - 7.9 Watt (écriture) - 4.8 Watt (inactif) - 4 mW (veille) |
|---|
Logiciels & Configuration requise
| Logiciel(s) inclus | Samsung Magician Software |
|---|
Divers
| Normes de conformité | IEEE 1667 |
|---|---|
| Couleur du boîtier | Noir |
| Détails du paquet | Boîte |
Garantie du fabricant
| Service et maintenance | Garantie limitée - 5 ans/1200 TBW |
|---|
Caractéristiques d’environnement
| Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
|---|---|
| Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
| Température de stockage maxi | 85 °C |
| Taux d'humidité en fonctionnement | 5 - 95 % (sans condensation) |
| Résistance aux chocs (au repos) | 1500 g @ 0.5 ms half-sine |
| Tolérance aux vibrations (au repos) | 20 g @ 20-2000 Hz |
Avis sur Samsung 9100 PRO MZ - VAP2T0 - SSD - Disque SSD interne 2 To Samsung
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