Microstructure du saphir implanté par des ions - Ononye, Lawretta

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Résumé :
La science de la technologie d'implantation ionique s'int?resse ? la modification des propri?t?s de la surface proche d'un large ?ventail de mat?riaux. La technique permet un excellent contr?le des param?tres d'implantation tels que la gamme de doses, l'?nergie des esp?ces d'ions et la temp?rature d'implantation. Des ?chantillons d'Alpha-Al2O3 (saphir) ont ?t? irradi?s ? temp?rature ambiante (RT) et ? 1000 degr?s C ? des fluences de 1x10^17 B+/cm^2, 3x10^16 N+/cm^2 et 1x10^17 Fe+/cm^2 avec 150 keV d'?nergie. Apr?s irradiation, les structures ont ?t? examin?es ? l'aide de la microscopie ?lectronique ? transmission (TEM), de la spectroscopie Rutherford ? r?trodiffusion - canalisation d'ions (RBS-C), de mesures d'absorption optique, de la technique de diffraction des rayons X (XRD) et de la spectroscopie photo?lectronique ? rayons X (XPS). Les microstructures des sp?cimens irradi?s qui d?pendent de la profondeur, l'?nergie d?pos?e (?lastique et in?lastique) en fonction de la profondeur ? partir de la surface, la gamme des esp?ces implant?es et la production de d?fauts ont ?t? mod?lis?es ? l'aide du programme TRIM (Transport and range of ions in materials)....

Biographie:
Lawretta C. Ononye ist au?erordentliche Professorin f?r Physik und Ingenieurwesen an der State University of New York in Canton, New York. Sie erhielt ihren Doktortitel in Materialwissenschaft und Technik von der University of Tennessee in Knoxville.