High Temperature Structure Formation and Surface Diffusion of Silver on Silicon Surfaces - Wall, Dirk

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Résumé :
Die vorliegende Arbeit besch?ftigt sich mit Oberfl?chendiffusion und Strukturbildung an Oberfl?chen, speziell im Fall Silber auf Silizium. Unterschiedliche Methoden werden kombiniert um Si(001) und Si(111) Oberfl?chen als auch dazwischen liegende Orientierungen zu untersuchen. niedrigenergetische Elektronenmikroskopie (LEEM) und photoemissions Elektronenmikroskopie (PEEM) wurden verwendet um die Wachstumsdynamik und den Einfluss von Oberfl?chendiffusion auf die Strukturbildung an Oberfl?chen unter Ultrahochvakuum (UHV) Bedingungen zu untersuchen. Es wurden ein- und multi-kristalline Ag Inseln und selbstorganisierte Ag Dr?hte auf unterschiedlichen Si Oberfl?chen untersucht. Hierf?r wurde Ag bei hohen Temperaturen auf Oberfl?chen aufgebracht, wobei die meisten Untersuchungen in-situ erfolgten. Die Struktur der Ag Inseln und Dr?hte und deren Orientierung zum Substrat wurde haupts?chlich mit niederenergetischer Elektronenbeugung an kleinen Bereichen (?-LEED), hochaufl?sender niederenergetischer Elektronenbeugung (SPA-LEED) und Rasterelektronenmikroskopie (SEM) untersucht. F?r die SEM Untersuchungen wurden die pr?parierten Proben aus dem UHV entnommen um sie in ein SEM zu transferieren und eine statistisch bessere Aussagekraft zu erreichen. Ag(001) und Ag(111) Inseln wurden bei Temperaturen von bis zu 700?C gewachsen. Mit steigender Wachstumstemperatur ver?ndert sich die ?berwiegende Form der Inseln von hexagonal zu dreieckig. Die relative Drehung zum Substrat wurde Untersucht und mit einem modifizierten gitter-koinzidenz Modell (CSL) verglichen. Der Vergleich zeigt eine ausgesprochen gute ?bereinstimmung der experimentellen Daten mit der Theorie, bei der praktisch alle Drehwinkel erkl?rt werden.