Samsung - RDRAM - module - 256 Mo - RIMM 184 broches - 800 MHz / PC800 - 2.5 V - non ECC - Samsung
- RDRAM (RAMBUS)
- 800 MHz
- Norme PC800
- Format RIMM 184 broches
- 1 barrette Voir le descriptif
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Avis sur Samsung - RDRAM - 256 Mo en RDRAM (RAMBUS)
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Fréquence
800 MHz
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533 MHz
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1333 MHz
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667 MHz
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533 MHz
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1333 MHz
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5000 MHz
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Fréquence
800 MHz
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Type
Non précisé
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Type
Non précisé
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Capacité
512 Mo et moins
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1 Go
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2 Go
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1 Go
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512 Mo et moins
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1 Go
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1 Go
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1 Go
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1 Go
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512 Mo et moins
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1 Go
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2 Go
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2 Go
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512 Mo et moins
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2 Go
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Capacité
512 Mo et moins
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Marque
Samsung
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G.Skill
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Kingston Technology
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Hynix
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Samsung
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Apacer
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MSC Vertriebs
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Kingston Technology
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Micron Technology
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Hynix
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NANYA
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A-Data
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Samsung
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Apple
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Marque
Samsung
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Compatibilité
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Serveur
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Ordinateur portable
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Compatibilité
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Présentation Samsung - RDRAM
- 256 Mo en RDRAM (RAMBUS)Produit soumis à la Rémunération Pour Copie Privée. En savoir plus
Descriptif technique Samsung - RDRAM - 256 Mo en RDRAM (RAMBUS)
Général
| Type de mise à niveau | Générique |
|---|
Mémoire
| Type | DRAM module mémoire |
|---|---|
| Technologie | RDRAM (RAMBUS) |
| Format | RIMM 184 broches |
| Vitesse | 800 MHz (PC800) |
| Temps d'accès | 40 ns |
| Vérification de l'Intégrité des Données | Non ECC |
| Configuration de module | 128 x 16 |
| Tension | 2.5 V |
Extension/connectivité
| Connecteurs compatibles | 1 x mémoire - RIMM 184 broches |
|---|