Samsung - DDR - 1 Go - DIMM 184 broches faible encombrement - 266 MHz / PC2100 - CL2.5 - 2.5 V - mémoire enregistré - ECC - Samsung
- DDR
- 266 MHz
- Norme PC2100
- Format DIMM 184 broches
- 1 barrette Voir le descriptif
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Présentation Samsung - DDR
- 1 Go en DDRFabricant : SamsungSortie : 01/01/2008Produit soumis à la Rémunération Pour Copie Privée. En savoir plus. Voir le montant de la Rémunération Pour Copie Privée
Produit soumis à la Rémunération Pour Copie Privée. En savoir plus.
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Descriptif technique Samsung - DDR - 1 Go en DDR
Général
| Capacité | 1 Go |
|---|---|
| Type de mise à niveau | Générique |
Mémoire
| Type | DRAM |
|---|---|
| Technologie | DDR SDRAM |
| Format | DIMM 184 broches faible encombrement |
| Vitesse | 266 MHz (PC2100) |
| Temps de latence | CL2.5 |
| Vérification de l'Intégrité des Données | ECC |
| Fonctions | Rafraîchissement 8K, mémoire enregistré |
| Configuration de module | 128 x 72 |
| Tension | 2.5 V |
Extension/connectivité
| Connecteurs compatibles | 1 x mémoire - DIMM 184 broches |
|---|
Garantie du fabricant
| Service et maintenance | Garantie limitée à vie |
|---|
Détails de conformité du produit
Personne responsable dans l'UE