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Electron Spin Resonance and Related Phenomena in Low-Dimensional Structures -

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        Avis sur Electron Spin Resonance And Related Phenomena In Low - Dimensional Structures Format Relié  - Livre Littérature Générale

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        Présentation Electron Spin Resonance And Related Phenomena In Low - Dimensional Structures Format Relié

         - Livre Littérature Générale

        Livre Littérature Générale - 01/09/2009 - Relié - Langue : Anglais

        . .

      • Editeur : Springer-Verlag Gmbh
      • Langue : Anglais
      • Parution : 01/09/2009
      • Format : Moyen, de 350g à 1kg
      • Nombre de pages : 276
      • Expédition : 633
      • Dimensions : 24.1 x 16.0 x 2.2
      • ISBN : 9783540793649



      • Résumé :
        The spin degree-of-freedom is o?ering a wide range of intriguing oppor- nities both in fundamental as well as in applied solid-state physics. When combined with the rich and fertile physics of low-dimensional semicondu- ingstructuresandwiththepossibilitytochange,forexample,carrierdensity, electric ?elds or coupling to other quantum systems in a controlled way, an extremely exciting and interesting research ?eld is opened. Most comm- cial electronic devices are based on spin-independent charge transport. In the last two decades, however, scientists have been focusing on the ambitious objective of exploiting the spin degree-of-freedom of the electron to achieve novel functionalities. Ferromagnetic semiconductors, spin transistors, sing- spin manipulations or spin-torque MRAMs (magnetoresistive random access memories) are some of the hot topics. The importance of spin phenomena for new applications was recognized by the Royal Swedish Academy of S- ences by awarding the 2007 Nobel Prize in Physics jointly to Albert Fert and Peter Grun ? berg ?for the discovery of giant magnetoresistance?. This - fect originates from spin-dependent scattering phenomena in a two-terminal ferromagnetic?paramagnetic?ferromagnetic junction leading to a new type of magnetic memory. The Hall e?ect and its applications remain fertile - search areas. The spin Hall e?ect, in analogy with the conventional Hall e?ect, occurs in paramagnetic systems as a result of spin-orbit interaction.

        Biographie:
        Marco Fanciulli is the Director of the CNR-INFM MDM (Materials and Devices for Microelectronics) National Laboratory and Full Professor at the Department of Material Science at the University of Milano Bicocca.

        Sommaire:
        Resistively Detected ESR and?ENDOR?Experiments in?Narrow?and?Wide?Quantum?Wells: A?Comparative Study.- Electron-Spin Manipulation in?Quantum?Dot?Systems.- Resistively Detected NMR in GaAs/AlGaAs.- Electron-Spin Dynamics in?Self-Assembled?(In,Ga)As/GaAs Quantum?Dots.- Single-Electron-Spin Measurements in?Si-Based?Semiconductor Nanostructures.- Si/SiGe Quantum Devices, Quantum Wells, and Electron-Spin Coherence.- Electrical Detection of?Electron-Spin?Resonance in?Two-Dimensional?Systems.- Quantitative Treatment of Decoherence.- Measuring the Charge and Spin States of?Electrons on Individual Dopant Atoms in?Silicon.- Electron Spin as a Spectrometer of?Nuclear-Spin?Noise?and Other Fluctuations.- A Robust and Fast Method to?Compute?Shallow?States without?Adjustable?Parameters: Simulations?for?a?Silicon-Based?Qubit.- Photon-Assisted Tunneling in Quantum Dots.

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