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Livre Physique - Chimie - Steven H Voldman - 01/10/2006 - Relié - Langue : Anglais

Auteur(s) : Steven H Voldman

Editeur : John Wiley & Sons

Langue : Anglais

Parution : 01/10/2006

Format : Moyen, de 350g à 1kg

Nombre de pages : 420.0

Expédition : 960

ISBN : 0470847557

Résumé :
With the growth of high-speed telecommunications and wireless technology, it is becoming increasingly important for engineers to understand radio frequency (RF) applications and their sensitivity to electrostatic discharge (ESD) phenomena. This enables the development of ESD design methods for RF technology,?leading to increased protection against electrical overstress (EOS) and ESD.

ESD: RF Technology and Circuits:

Presents methods for co-synthesizisng ESD networks for RF applications to achieve improved performance and ESD protection of semiconductor chips...

Biographie:
examines ESD protection and design of active and passive elements in RF complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS), RF laterally-diffused metal oxide semiconductor (LDMOS), RF BiCMOS Silicon Germanium (SiGe), RF BiCMOS Silicon Germanium Carbon (SiGeC), and Gallim Arsenide technology...

Sommaire:
discusses RF ESD design methods of capacitance load transformation, matching network co-synthesis, capacitance shunts, inductive shunts, impedance isolation, load cancellation methods, distributed loads, emitter degeneration, buffering and ballasting...

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ESD - Steven H Voldman

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