Physik der Halbleiterbauelemente - Kwok K. Ng

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Résumé :
TEIL I HALBLEITERPHYSIK

1 PHYSIK UND EIGENSCHAFTEN VON HALBLEITERN -
EIN ?BERBLICK
1.1 Einf?hrung
1.2 Kristallstruktur
1.3 Energieb?nder und Energiel?cke
1.4 Tr?gerkonzentration im W?rmeausgleich
1.5 Ph?nomene des Ladungstr?gertransports
1.6 Phononische, optische und thermische Eigenschaften
1.7 Hetero?berg?nge und Nanostrukturen
1.8 Grundgleichungen und Beispiele

TEIL II BAUELEMENTE

2 P-N-?BERG?NGE
2.1 Einf?hrung
2.2 Ersch?pfungsbereich
2.3 Strom-Spannungs-Kennlinien
2.4 Ausfall der Verbindungsstelle
2.5 Transientes Verhalten und Rauschen
2.6 Klemmenfunktionen
2.7 Hetero?berg?nge

3 METALL-HALBLEITER-KONTAKTE
3.1 Einf?hrung
3.2 Bildung der Barriere
3.3 Aktuelle Transportprozesse
3.4 Messung der Barrierenh?he
3.5 Vorrichtungsstrukturen
3.6 Ohmscher Kontakt

4 METALL-ISOLATOR-HALBLEITER-KONDENSATOREN
4.1 Einf?hrung
4.2 Idealer MIS-Kondensator
4.3 Silizium-MOS-Kondensator

TEIL III TRANSISTOREN

5 BIPOLARE TRANSISTOREN
5.1 Einf?hrung
5.2 Statische Eigenschaften
5.3 Mikrowellencharakteristik
5.4 Verwandte Vorrichtungsstrukturen
5.5 Hetero?bergangs-Bipolartransistor

6 MOSFETs
6.1 Einf?hrung
6.2 Grundlegende Ger?teeigenschaften
6.3 Ungleichf?rmiges Dotierungs- und Buried-Channel-Bauelement
6.4 Ger?teskalierung und Kurzkanal-Effekte
6.5 MOSFET-Strukturen
6.6 Schaltungsanwendungen
6.7 Nichtfl?chtige Speicherger?te
6.8 Einzelelektronen-Transistor

7 JFETs, MESFETs UND MODFETs
7.1 Einf?hrung
7.2 JFET und MESFET
7.3 MODFET

TEIL IV BAUELEMENTE MIT NEGATIVEM DIFFERENTIELLEN WIDERSTAND UND LEISTUNGSBAUELEMENTE

8 TUNNELBAUELEMENTE
8.1 Einf?hrung
8.2 Tunneldiode
8.3 Zugeh?rige Tunnelbauelemente
8.4 Resonanztunneldiode

9 IMPATT-DIODEN
9.1 Einf?hrung
9.2 Statische Eigenschaften
9.3 Dynamische Eigenschaften
9.4 Leistung und Effizienz
9.5 Rauschverhalten
9.6 Ger?tedesign und -leistung
9.7 BARITT-Diode
9.8 TUNNETT-Diode

10 ELEKTRONEN-?BERTRAGUNGS -
UND DIREKTRAUM-?BERTRAGUNGS-BAUELEMENTE
10.1 Einf?hrung
10.2 Elektronen-?bertragung-Bauelemente
10.3 Direktraum-?bertragungs-Bauelemente

11 THYRISTOREN UND LEISTUNGSBAUELEMENTE
11.1 Einf?hrung
11.2 Thyristorkennlinien
11.3 Thyristorvarianten
11.4 Andere Stromversorgungsger?te

TEIL V PHOTONISCHE BAUELEMENTE UND SENSOREN

12 LEDs UND LASER
12.1 Einf?hrung
12.2 Strahlungs?berg?nge
12.3 Leuchtdiode (LED)
12.4 Laserphysik
12.5 Betriebsmerkmale des Lasers
12.6 Speziallaser

13 PHOTODETEKTOREN UND SOLARZELLEN
13.1 Einf?hrung
13.2 Fotoleiter
13.3 Fotodioden
13.4 Lawinenphotodiode
13.5 Fototransistor
13.6 Ladungsgekoppelte Vorrichtung (CCD)
13.7 Metall-Halbleiter-Metall-Photodetektor
13.8 Quantenwellen-Infrarot-Photodetektor
13.9 Solarzelle

14 SENSOREN
14.1 Einf?hrung
14.2 Thermosensoren
14.3 Mechanische Sensoren
14.4 Magnetische Sensoren
14.5 Chemische Sensoren

ANH?NGE
A. Liste der Symbole
B. Internationales Einheitensystem
C. Einheiten-Pr?fixe
D. Griechisches Alphabet
E. Physikalische Konstanten
F. Eigenschaften wichtiger Halbleiter
G. Eigenschaften von Si und GaAs
H. Eigenschaften von SiO und Si3N
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Biographie:
Simon M. Sze ist Lehrstuhlinhaber an der National Chiao Tung University, Taiwan. Er hat bahnbrechende Beitr?ge zur Entwicklung von Halbleiterbauelementen geleistet, besonders hervorzuheben ist seine Ko-Erfindung nichtfl?chtiger Halbleiterspeicher wie Flash-Speicher und EEPROMs. Sein Buch Physik der Halbleiterbauelemente (im Original: Physics of Semiconductor Devices) ist eines der einflussreichsten und meistzitierten Werke in den Ingenieurwissenschaften.

Yiming Li ist Professor an der National Chiao Tung University, Taiwan. In der Abteilung f?r Elektro- und Computertechnik forscht er zu computerorientierter Elektronik, Bauteilphysik, Halbleiternanostrukturen sowie der Modellierung und Simulation von Schaltkreisen.

Kwok K. Ng ist Senior Director bei der Semiconductor Research Corporation im Research Triangle Park, North Carolina, USA. Zuvor hat er langj?hrig in F?hrungspositionen bei Agere Systems, Lucent Technologies, MVC und den Bell-Laboratorien von AT&T gearbeitet.
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Sommaire:
Das meistzitierte und einflussreichste Werk zur Physik der Halbleiterbauelemente - erstmals auf Deutsch!

Halbleiterbauelemente sind die Basis integrierter Schaltkreise und damit unentbehrlich f?r die gesamte Elektronik- und Computerindustrie. Immer h?here Anforderungen an deren Leistungsf?higkeit und Zuverl?ssigkeit erfordern kontinuierliche Forschung und Verbesserung der bestehenden sowie Entwicklung neuer Bauelemente, sowohl von grundlegender als auch von angewandter Seite.

Dieses einzigartige Buch, geschrieben von Pionieren auf dem Gebiet, behandelt s?mtliche Aspekte der Physik der Halbleiterbauelemente, die zu deren Verst?ndnis, Betrieb, Weiter- und Neuentwicklung notwendig sind. Nach einem ?berblick ?ber die festk?rperphysikalischen Grundlagen von Halbleitern widmen sich die Autoren den einfachen Bauelementen auf Basis von p-n-?berg?ngen, Metall-Halbleiter- und Metall-Isolator-Halbleiter-Kontakten. Im folgenden Teil stehen Transistoren in ihren verschiedenen Auspr?gungen (bipolar, MOSFET, JFET, MESFET, MODFET) im Mittelpunkt, gefolgt von Bauelementen mit negativem differentiellem Widerstand wie Tunnel- und IMPATT-Dioden sowie Leistungsbauelementen wie Thyristoren. Der letzte Teil befasst sich mit photonischen Bauelementen wie LEDs, Lasern, Photodetektoren und Solarzellen sowie mit halbleiterbasierten Sensoren.

* Der Goldstandard: der Sze ist ein Muss f?r alle, die sich in Forschung, Entwicklung und Lehre mit Halbleiterbauelementen besch?ftigen

* Unerreichte Detailf?lle: enth?lt ausf?hrliche Informationen zur Physik und zum Betrieb aller praktisch relevanten Halbleiterbauelemente, mit 1000 Literaturangaben, 650 technischen Illustrationen und 25 Tabellen mit Material- und Bauelementparametern

* F?rdert das nachhaltige Verst?ndnis: enth?lt zahlreiche Beispiele und Aufgaben, die beim Durchdringen der Physik und der praktischen Auslegung helfen
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