Samsung - DDR - module - 512 Mo - DIMM 184 broches - 400 MHz / PC3200 - CL3 - 2.6 V - mémoire sans tampon - non ECC - Samsung

DDR
400 MHz
Norme PC3200
Format DIMM 184 broches

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Fréquence 400 MHz

1600 MHz

1333 MHz

3200 MHz

1333 MHz

Fréquence 400 MHz

Type ddr

ddr4

ddr3

ddr4

ddr3

SDRAM

ddr3

SDRAM

ddr3

SDRAM

ddr2

SDRAM

ddr3

Type ddr

Capacité 512 Mo et moins

4 Go

2 Go

512 Mo et moins

2 Go

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Marque Samsung

Samsung

Hynix

Samsung

Kingston Technology

Samsung

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Compatibilité Ordinateur de bureau

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Présentation Samsung - DDR
- 512 Mo en DDR

512 Mo en DDR - Samsung

Fabricant : Samsung

Produit soumis à la Rémunération Pour Copie Privée. En savoir plus

Descriptif technique Samsung - DDR - 512 Mo en DDR

Général

Type de mise à niveau	Générique

Mémoire

Type	DRAM module mémoire
Technologie	DDR SDRAM
Format	DIMM 184 broches
Vitesse	400 MHz (PC3200)
Temps de latence	CL3
Vérification de l'Intégrité des Données	Non ECC
Fonctions	Rafraîchissement 8K, mémoire sans tampon
Configuration de module	64 x 64
Tension	2.6 V

Extension/connectivité

Connecteurs compatibles	1 x mémoire - DIMM 184 broches

Samsung - DDR - module - 512 Mo - DIMM 184 broches - 400 MHz / PC3200 - CL3 - 2.6 V - mémoire sans tampon - non ECC - Samsung

Avis sur Samsung - DDR - 512 Mo en DDR

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Descriptif technique Samsung - DDR - 512 Mo en DDR

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