Personnaliser

OK

Informations importantes : Arrêt du Club R (13 août) et Cessation d'Activité (30 septembre)

En savoir plus.

Point Defects in Semiconductors I - Lannoo, M.

Note : 0

0 avis
  • Soyez le premier à donner un avis

82,28 €

Produit Neuf

  • Ou 20,57 € /mois

    • Livraison : 3,99 €
    • Livré entre le 24 et le 31 août
    Voir les modes de livraison

    M_plus_L

    PRO Vendeur favori

    4,8/5 sur + de 1 000 ventes

    Publicité
     
    Vous avez choisi le retrait chez le vendeur à
    • Payez directement sur Rakuten (CB, PayPal, 4xCB...)
    • Récupérez le produit directement chez le vendeur
    • Rakuten vous rembourse en cas de problème

    Gratuit et sans engagement

    Félicitations !

    Nous sommes heureux de vous compter parmi nos membres du Club Rakuten !

    En savoir plus

    Retour

    Horaires

        Note :


        Avis sur Point Defects In Semiconductors I Format Broché  - Livre Encyclopédies, Dictionnaires

        Note : 0 0 avis sur Point Defects In Semiconductors I Format Broché  - Livre Encyclopédies, Dictionnaires

        Les avis publiés font l'objet d'un contrôle automatisé de Rakuten.


        Présentation Point Defects In Semiconductors I Format Broché

         - Livre Encyclopédies, Dictionnaires

        Livre Encyclopédies, Dictionnaires - Lannoo, M. - 01/01/2012 - Broché - Langue : Anglais

        . .

      • Auteur(s) : Lannoo, M.
      • Editeur : Springer-Verlag Gmbh
      • Langue : Anglais
      • Parution : 01/01/2012
      • Format : Moyen, de 350g à 1kg
      • Nombre de pages : 292
      • Expédition : 446
      • Dimensions : 23.5 x 15.5 x 1.6
      • ISBN : 3642815766



      • Sommaire:
        Content.- 1. Atomic Configuration of Point Defects.- 1.1 Definition of Point Defects.- 1.2 Geometrical Configuration of Point Defects.- 1.3 Lattice Distortion and Relaxation.- 1.4 Defect Symmetry and Group Theory.- 1.5 Experimental Determination of Defect Symmetry.- 2. Effective Mass Theory.- 2.1 Simplified Presentation.- 2.2 Derivation in the One-Band Case.- 2.3 Pairing Effects.- 2.4 Experimental Observation of Shallow Levels.- 3. Simpte Theory of Deep Levels in Semiaonductors.- 3.1 The Elementary Tight-Binding Theory of Defects.- 3.2 Green's Function Theory of Defects: Tight Binding Application.- 4. Many-Electron Effects and Sophisticated Theories of Deep Levels.- 4.1 One-Electron Self-Consistent Calculations.- 4.2 Many-electron effects. The configuration interaction.- 5. Vibrational Properties and Entropy.- 5. 1 Vibrational Modes.- 5.2 Localized Modes Due to Defects.- 5.3 Experimental Determination of Vibrational Modes.- 5.4 Vibrational Entropy.- 6. Thermodynamics of Defects.- 6.1 Enthalpy of Formation.- 6.2 Defect Concentration at Thermal Equilibrium.- 6.3 On the Nature of the Defects Present at Thermal Equilibrium.- 6.4 Experimental Determination of Enthalpies.- 6.5 The Statistical Distribution of Donor-Acceptor Pairs.- 7. Defect Migration and Diffusion.- 7.1 Jump Probability and Migration Energy.- 7.2 Experimental Determination of Migration Enthalpies.- 7.3 Charge-State Effects on Defect Migration.- 7.4 Diffusion.- References.

        Détails de conformité du produit

        Consulter les détails de conformité de ce produit (

        Personne responsable dans l'UE

        )
        Le choixNeuf et occasion
        Le service clientsÀ votre écoute
        LinkedinFacebookTwitterInstagramYoutubePinterestTiktok
        visavisa
        mastercardmastercard
        klarnaklarna
        paypalpaypal
        floafloa
        americanexpressamericanexpress
        Rakuten Logo
        • Rakuten Kobo
        • Rakuten TV
        • Rakuten Viber
        • Rakuten Viki
        • Plus de services
        • À propos de Rakuten
        Rakuten.com