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Hot Carrier Design Considerations for MOS Devices and Circuits -

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        Avis sur Hot Carrier Design Considerations For Mos Devices And Circuits Format Broché  - Livre Encyclopédies, Dictionnaires

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        Présentation Hot Carrier Design Considerations For Mos Devices And Circuits Format Broché

         - Livre Encyclopédies, Dictionnaires

        Livre Encyclopédies, Dictionnaires - 01/06/2012 - Broché - Langue : Anglais

        . .

      • Editeur : Springer Us, New York, N.Y.
      • Langue : Anglais
      • Parution : 01/06/2012
      • Format : Moyen, de 350g à 1kg
      • Nombre de pages : 356
      • Expédition : 516
      • Dimensions : 22.9 x 15.2 x 2.0
      • ISBN : 1468485490



      • Sommaire:
        1 The Mechanisms of Hot Carrier Degradation.- 1.1 Introduction.- 1.2 Injection of Channel Hot Carriers in MOSFETs.- 1.3 Characterization Techniques.- 1.4 Charge Trapping and Dit-Generation Under Uniform Hot-Carrier Injection in MOSFETs.- 1.5 Charge Trapping and Dit-Generation Under Nonuniform Hot-Carrier Injection in MOSFETs.- 1.6 Conclusions.- 1.7 Acknowledgments.- References.- 2 Hot-Carrier Degradation Effects for DRAM Circuits.- 2.1 Introduction.- 2.2 Hot-Carrier Degradation in MOSFETs.- 2.3 Hot Carrier Impact on Circuit Operation.- 2.4 Circuit Hot-Electron Effect Simulation.- 2.5 ESD Latent Damage and Hot-Electron Reliability.- 2.6 Future Issues.- 2.7 Conclusions.- 2.8 Acknowledgments.- References.- 3 Hot Carrier Design Considerations in MOS Nonvolatile Memories.- 3.1 Introduction.- 3.2 Hot Carriers and EPROM.- 3.3 Hot Carriers and Flash Memory.- 3.4 Hot Carriers and Floating-Gate-Type EEPROMs.- 3.5 Hot Carriers and MNOS-Type EEPROMs.- 3.6 Conclusions.- 3.7 Acknowledgments.- References.- 4 Hot-Carrier Degradation During Dynamic Stress.- 4.1 The Problem of AC Hot-Carrier Degradation.- 4.2 Discussion of Transient Effects.- 4.3 Dynamic Degradation in Circuits.- 4.4 Conclusions.- References.- Appendices.- Appendix I On the Mathematical Formalism of the Hot-Carrier Currents in Semiconductor DevicesCheng T. Wang.- A1.1 Introduction.- A1.2 Mathematical Formalism.- A1.3 Conclusion.- References.- Appendix II Non-Local Field Effects on Carrier Transport in Ultra-Small-Size Devices Cheng T. Wang.- A2.1 Introduction.- A2.3 Drift Velocity as a Function of Distance.- A2.4 A Comparative Study of Field Effect on Drift Velocity.- A2.5 Conclusion.- A2.6 Acknowledgments.- References.

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