Samsung - DDR4 - module - 4 Go - SO DIMM 260 broches - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - mémoire sans tampon - non ECC - Samsung

DDR4
2133 MHz
Norme PC4-17000
Format SO DIMM 260 broches

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par pierreno57 (Voir ses avis) le 30/08/2021

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Occasion dès 17,89 €

Fréquence 2133 MHz

3200 MHz

1333 MHz

3200 MHz

1866 MHz

1600 MHz

1333 MHz

3200 MHz

1600 MHz

Fréquence 2133 MHz

Type ddr4

SDRAM

ddr3

ddr4

ddr3

ddr4

ddr3

ddr2

Non précisé

ddr3

Non précisé

ddr

ddr3

Non précisé

ddr3

Non précisé

ddr2

SDRAM

Type ddr4

Capacité 4 Go

8 Go

4 Go

8 Go

1 Go

4 Go

8 Go

4 Go

8 Go

512 Mo et moins

8 Go

Capacité 4 Go

Marque Samsung

Hynix

Kingston Technology

Samsung

Ballistix

Hynix

InnoVISION

G.Skill

Samsung

Crucial

Micron Technology

NANYA

G.Skill

MemorySolutioN

ADATA

Crucial

Marque Samsung

Compatibilité Ordinateur portable

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Ordinateur de bureau

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Présentation Samsung - DDR4
- 4 Go en DDR4

4 Go en DDR4 - Samsung

Fabricant : Samsung

Produit soumis à la Rémunération Pour Copie Privée. En savoir plus

Descriptif technique Samsung - DDR4 - 4 Go en DDR4

Général

Capacité	4 Go
Type de mise à niveau	Générique

Mémoire

Type	DRAM module mémoire
Technologie	DDR4 SDRAM
Format	SO DIMM 260 broches
Vitesse	2133 MHz (PC4-17000)
Temps de latence	CL15 (15-15-15)
Vérification de l'Intégrité des Données	Non ECC
Fonctions	Un rang, terminaison intégrée (ODT), seize banques, mémoire sans tampon
Configuration de module	512 x 64
Organisation des puces	512 x 8
Tension	1.2 V

Divers

Normes de conformité	RoHS, Sans plomb, Sans halogène

Détails de conformité du produit

Consulter les détails de conformité de ce produit (

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Samsung - DDR4 - module - 4 Go - SO DIMM 260 broches - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - mémoire sans tampon - non ECC - Samsung

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Descriptif technique Samsung - DDR4 - 4 Go en DDR4

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