SILICON POWER - DDR3 - module - 4 Go - DIMM 240 broches - 1600 MT/s / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - mémoire sans tampon - non ECC - Silicon Power
- DDR3
- 800 MHz
- Norme PC3-12800
- Format DIMM 240 broches Voir le descriptif
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Avis sur SILICON POWER - DDR3 - 4 Go en DDR3 SDRAM
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SILICON POWER - DDR3 - module - 4 Go - DIMM 240 broches - 1600 MT/s / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - mémoire sans tampon - non ECC
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Fréquence
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2400 MHz
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2666 MHz
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2133 MHz
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1600 MHz
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2400 MHz
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2400 MHz
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1600 MHz
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Fréquence
800 MHz
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Type
Non précisé
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ddr5
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SDRAM
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ddr4
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ddr4
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ddr4
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ddr4
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ddr4
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ddr3
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ddr4
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ddr4
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ddr3
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ddr4
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ddr4
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ddr2
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ddr4
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ddr4
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ddr4
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ddr4
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ddr3
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ddr4
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Type
Non précisé
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Capacité
4 Go
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8 Go
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8 Go
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8 Go
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4 Go
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8 Go
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8 Go
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8 Go
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8 Go
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8 Go
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16 Go
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2 Go
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8 Go
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8 Go
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8 Go
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Capacité
4 Go
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Marque
Silicon Power
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Kingston Technology
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Samsung
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Hynix
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Kingston Technology
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Hynix
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Corsair
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Kingston Technology
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G.Skill
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Kingston Technology
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Hynix
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G.Skill
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Micron Technology
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Hynix
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Hynix
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Hynix
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Marque
Silicon Power
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Compatibilité
Ordinateur de bureau
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Ordinateur portable
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Ordinateur de bureau
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Ordinateur portable
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Ordinateur de bureau
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Ordinateur portable
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Compatibilité
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Présentation SILICON POWER - DDR3
- 4 Go en DDR3 SDRAMProduit soumis à la Rémunération Pour Copie Privée. En savoir plus
Descriptif technique SILICON POWER - DDR3 - 4 Go en DDR3 SDRAM
Général
| Capacité | 4 Go |
|---|---|
| Type de mise à niveau | Générique |
Mémoire
| Type | DRAM module mémoire |
|---|---|
| Technologie | DDR3 SDRAM |
| Format | DIMM 240 broches |
| Hauteur du module (en pouces) | 1.2 |
| Vitesse | 1600 MT/s (PC3-12800) |
| Temps de latence | CL11 (11-11-11) |
| Vérification de l'Intégrité des Données | Non ECC |
| Fonctions | Un rang, terminaison intégrée (ODT), Serial Presence Detect (SPD), mémoire sans tampon |
| Configuration de module | 512 x 64 |
| Organisation des puces | 512 x 8 |
| Tension | 1.5 V |
| Placage du connecteur | Or |
Garantie du fabricant
| Service et maintenance | Garantie limitée à vie |
|---|
Détails de conformité du produit
Personne responsable dans l'UE