Samsung - DDR2 - module - 512 Mo - DIMM 240 broches - 667 MHz / PC2-5300 - CL5 - 1.8 V - mémoire sans tampon - non ECC - Samsung

DDR2
667 MHz
Norme PC2-5300
Format DIMM 240 broches

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Fréquence 667 MHz

3200 MHz

1333 MHz

1600 MHz

333 MHz

533 MHz

667 MHz

1333 MHz

533 MHz

1333 MHz

5000 MHz

Fréquence 667 MHz

Type Non précisé

ddr

ddr2

ddr3

SDRAM

ddr2

ddr3

ddr

ddr2

ddr3

ddr2

SDRAM

ddr2

ddr3

ddr2

ddr3

Type Non précisé

Capacité 512 Mo et moins

1 Go

2 Go

1 Go

2 Go

512 Mo et moins

1 Go

512 Mo et moins

1 Go

2 Go

512 Mo et moins

2 Go

Capacité 512 Mo et moins

Marque Samsung

G.Skill

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Hynix

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Marque Samsung

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Présentation Samsung - DDR2
- 512 Mo en DDR2 SDRAM

512 Mo en DDR2 SDRAM - Samsung

Fabricant : Samsung

Produit soumis à la Rémunération Pour Copie Privée. En savoir plus

Descriptif technique Samsung - DDR2 - 512 Mo en DDR2 SDRAM

Général

Type de mise à niveau	Générique

Mémoire

Type	DRAM module mémoire
Technologie	DDR2 SDRAM
Format	DIMM 240 broches
Vitesse	667 MHz (PC2-5300)
Temps de latence	CL5
Vérification de l'Intégrité des Données	Non ECC
Fonctions	Rafraîchissement 8K, mémoire sans tampon
Configuration de module	64 x 64
Organisation des puces	64 x 8
Tension	1.8 V

Extension/connectivité

Connecteurs compatibles	1 x mémoire - DIMM 240 broches

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