Optimisation des paramètres électriques (CNTFET) - Pal, Krishna

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Résumé :
Dans le secteur de l'?lectronique, la demande d'am?lioration technologique n'a cess? d'augmenter. Jusqu'? pr?sent, le silicium ?tait le mat?riau le plus populaire pour r?pondre ? la demande actuelle. Cependant, le silicium a ses propres limites ...

Sommaire:
Les circuits int?gr?s ? base de silicium et la mise ? l'?chelle de la conception des MOSFET au silicium sont confront?s ? des probl?mes tels que l'effet tunnel, l'impact sur l'?paisseur de l'oxyde de grille, etc., ce qui a incit? le d?veloppement de mat?riaux alternatifs. L'int?r?t acad?mique croissant pour les nanotubes de carbone (NTC) en tant que nouveau type possible de mat?riau ?lectronique a entra?n? des progr?s substantiels dans la physique des NTC, y compris les propri?t?s de transport d'?lectrons balistiques et non balistiques. Le transport ? faible polarisation dans un nanotube peut ?tre presque balistique sur des distances de plusieurs centaines de nanom?tres. Des mod?les ?tendus au niveau du circuit, capables de capturer les ph?nom?nes de transport d'?lectrons balistiques et non balistiques, notamment les effets ?lastiques, de diffusion de phonons, de d?formation et de tunneling, ont ?t? cr??s pour les transistors CNT non balistiques. L'effet de l'?paisseur de l'oxyde de grille sur les performances des CNTFET non balistiques a ?t? ?tudi? dans notre section de r?sultats....