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Samsung - DDR3 - module - 4 Go - DIMM 240 broches - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - mémoire sans tampon - non ECC - Samsung

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Module Mémoire RAM PC - DDR3-1600 MHz - Samsung PC3-12800U - 4GB - CL11 - 1.5v - 2RX8 Rank 2 - Double Face 240-Pin DIMM M378B5273EB0-CK0 -

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      Présentation Samsung - DDR3

       - 4 Go en DDR3

      4 Go en DDR3 - Samsung
    • Fabricant : Samsung
    • Produit soumis à la Rémunération Pour Copie Privée. En savoir plus


      • Offre d'énormes économies d'énergie pour les plateformes informatiques environnementales actuelles
      • Largeur de bande très importante et consommation d'énergie ultra-faible

      Pour les serveurs, les ordinateurs portables ou de bureau, la DDR3 de Samsung conjugue les atouts incontestables de densité et largeur de bande maximales, à une consommation d'énergie la plus basse.
      L'évolution de la DDR3 a donné lieu à une puce hautes performances alimentant de manière significative les principaux marchés tels que le secteur du graphisme, qui nécessite des transferts rapides de données entre les mémoires d'image. Avec un temps de 13 nanosecondes environ, la DDR3 représente également une solution de mémoire idéale pour les applications de réseau effectuant des accès aléatoires fréquents.

      • Offre d'énormes économies d'énergie pour les plateformes informatiques environnementales actuelles
        Pour les serveurs, les ordinateurs portables ou de bureau, la DDR3 de Samsung conjugue les atouts incontestables de densité et largeur de bande maximales, à une consommation d'énergie la plus basse.
      • Largeur de bande très importante et consommation d'énergie ultra-faible
        L'évolution de la DDR3 a donné lieu à une puce hautes performances alimentant de manière significative les principaux marchés tels que le secteur du graphisme, qui nécessite des transferts rapides de données entre les mémoires d'image. Avec un temps de 13 nanosecondes environ, la DDR3 représente également une solution de mémoire idéale pour les applications de réseau effectuant des accès aléatoires fréquents.


      Descriptif technique Samsung - DDR3 - 4 Go en DDR3

      Général

      Capacité 4 Go
      Type de mise à niveau Générique

      Mémoire

      Type DRAM module mémoire
      Technologie DDR3 SDRAM
      Format DIMM 240 broches
      Hauteur du module (en pouces) 1.18
      Vitesse 1600 MHz (PC3-12800)
      Temps de latence CL11 (11-11-11)
      Vérification de l'Intégrité des Données Non ECC
      Fonctions Deux rangs, huit banques, mémoire sans tampon
      Configuration de module 512 x 64
      Organisation des puces 256 x 8
      Tension 1.5 V

      Extension/connectivité

      Connecteurs compatibles 1 x mémoire - DIMM 240 broches

      Divers

      Normes de conformité Sans plomb, Sans halogène
      Le choixNeuf et occasion
      Le service clientsÀ votre écoute
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