Samsung 990 EVO MZ-V9E1T0BW - SSD - chiffré - 1 To - interne - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0 - Samsung
- Disque SSD interne
- Capacité: 1 To
- Connectivité: PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
- Format: M.2"
- Poids: 9g Voir le descriptif
Vous en avez un à vendre ?
Vendez-le-vôtreNos autres offres
Détails de conformité du produit
Personne responsable dans l'UE
- Payez directement sur Rakuten (CB, PayPal, 4xCB...)
- Récupérez le produit directement chez le vendeur
- Rakuten vous rembourse en cas de problème
Gratuit et sans engagement
Félicitations !
Nous sommes heureux de vous compter parmi nos membres du Club Rakuten !
TROUVER UN MAGASIN
Retour
Avis sur Samsung 990 EVO MZ - V9E1T0BW - SSD - Disque SSD interne 1 To Samsung
4 avis sur Samsung 990 EVO MZ - V9E1T0BW - SSD - Disque SSD interne 1 To Samsung
Donnez votre avis et cumulez 1
Les avis publiés font l'objet d'un contrôle automatisé de Rakuten.
Présentation Samsung 990 EVO MZ - V9E1T0BW - SSD
- Disque SSD interne 1 To Samsung- Fabricant : Samsung
- Référence fabricant : MZ-V9E1T0BW
Produit soumis à la Rémunération Pour Copie Privée. En savoir plus
Le SSD 990 EVO : Performance et Polyvalence pour les Gamers et Professionnels
Le 990 EVO est conçu pour répondre aux besoins des gamers, des professionnels et des créateurs. Grâce à sa prise en charge des dernières interfaces PCIe 4.0 x4 et PCIe 5.0 x2, ce SSD offre la flexibilité essentielle pour faire face aux exigences informatiques actuelles et futures.
Passez à la vitesse supérieure : Le 990 EVO garantit des performances de haut niveau avec une vitesse de lecture/écriture séquentielle allant jusqu'à 5000/4200¹ Mo/s.
Descriptif technique Samsung 990 EVO MZ - V9E1T0BW - SSD - Disque SSD interne 1 To Samsung
Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
---|---|
Capacité | 1 To |
Cryptage matériel | Oui |
Algorithme de chiffrement | AES 256 bits |
Type de mémoire flash NAND | 3 bits par cellule (TLC) |
Format | M.2 2280 |
Interface | PCIe 5.0 x2 (NVMe) |
Caractéristiques | Prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Support de mise en veille de l'appareil, Samsung V-NAND TLC Technology, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T. |
Largeur | 22 mm |
Profondeur | 80 mm |
Hauteur | 2.38 mm |
Poids | 9 g |
Débit de transfert interne | 5000 Mo/s (lecture) / 4200 Mo/s (écriture) |
---|---|
Lecture aléatoire 4 Ko | 20000 IOPS |
Écriture aléatoire 4 Ko | 90000 IOPS |
Écriture aléatoire 4 Ko maximum | 800000 IOPS |
Lecture aléatoire maximale 4 ko | 680000 IOPS |
Fiabilité MTBF | 1.500.000 heures |
---|
Baie compatible | M.2 2280 |
---|
Consommation électrique | 5.5 Watt (lecture) - 4.7 Watt (écriture) - 60 mW (en attente) |
---|
Logiciel(s) inclus | Samsung Magician Software |
---|
Normes de conformité | IEEE 1667 |
---|---|
Détails du paquet | Boîte |
Service et maintenance | Garantie limitée - 5 ans |
---|
Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
---|---|
Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
Résistance aux chocs (au repos) | 1500 g @ 0,5 ms |