Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0GW - SSD - chiffré - 2 To - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0 - dissipateur de chaleur intégré - Samsung
- Disque SSD interne
- Capacité: 2 To
- Connectivité: PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
- Format: M.2"
- Poids: 28g Voir le descriptif
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Avis sur Samsung 990 PRO MZ - V9P2T0GW - SSD - Disque SSD interne 2 To Samsung
11 avis sur Samsung 990 PRO MZ - V9P2T0GW - SSD - Disque SSD interne 2 To Samsung
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Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0GW - SSD - chiffré - 2 To - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0 - dissipateur de chaleur intégré
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Présentation Samsung 990 PRO MZ - V9P2T0GW - SSD
- Disque SSD interne 2 To Samsung- Fabricant : Samsung
- Référence fabricant : MZ-V9P2T0GW
Produit soumis à la Rémunération Pour Copie Privée. En savoir plus
- Augmentation considérable de la vitesse
Obtenez des vitesses de lecture/écriture aléatoires plus rapides que la 980 PRO. Découvrez jusqu'à 1550 000 IOPS, tandis que les vitesses de lecture/écriture séquentielles atteignent 7450/6900 Mo/s et se rapprochent des performances maximales du PCIe 4.0. Prenez de la hauteur dans les jeux, le montage vidéo, la modélisation 3D, l'analyse de données et bien plus encore. - Des performances plus économes en énergie
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Le contrôleur haut de gamme à revêtement nickelé de Samsung assure un contrôle thermique efficace et empêche les baisses de performances soudaines dues à la surchauffe. Jouez en toute confiance avec une puissance thermique stable et un bruit de ventilateur minimal, même lors de jeux graphiques intenses. Grâce à sa taille fine, le 990 PRO avec dissipateur thermique convient parfaitement à la PlayStation 5, aux ordinateurs de bureau et aux ordinateurs portables conformes à la norme PCI-SIG D8. - Le champion du jeu
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Descriptif technique Samsung 990 PRO MZ - V9P2T0GW - SSD - Disque SSD interne 2 To Samsung
Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
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Capacité | 2 To |
Cryptage matériel | Oui |
Algorithme de chiffrement | AES 256 bits |
Type de mémoire flash NAND | Cellule multiniveaux (MLC) |
Dissipateur thermique intégré | Oui |
Format | M.2 2280 |
Interface | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
Caractéristiques | Mode veille, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Cache DDR4 SDRAM à faible consommation de 2 Go, S.M.A.R.T., NVMe 2.0 |
Largeur | 24.3 mm |
Profondeur | 80 mm |
Hauteur | 8.2 mm |
Poids | 28 g |
Débit de transfert interne | 7450 Mo/s (lecture) / 6900 Mo/s (écriture) |
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Écriture aléatoire 4 Ko maximum | 1550000 IOPS |
Lecture aléatoire maximale 4 ko | 1400000 IOPS |
Fiabilité MTBF | 1,500,000 heures |
---|
Interfaces | PCI Express 4.0 x4 (NVMe) |
---|---|
Baie compatible | M.2 2280 |
Consommation électrique | 5.8 Watt (lecture) - 5.1 Watt (écriture) - 55 mW (inactif) - 5 mW (mode L1.2) |
---|
Logiciel(s) inclus | Samsung Magician Software |
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Normes de conformité | IEEE 1667 |
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Détails du paquet | Boîte |
Service et maintenance | Garantie limitée - 5 ans/1200 TBW |
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Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
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Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
Température de stockage mini | -40 °C |
Température de stockage maxi | 85 °C |
Taux d'humidité en fonctionnement | 5 - 95 % (sans condensation) |
Résistance aux chocs (au repos) | 1500 g |
Tolérance aux vibrations (au repos) | 20 g @ 20-2000 Hz |